교원프로필

이장식 사진
교원에 대한 정보를 나타내는 표입니다.
성명 이장식
소속 신소재공학과
전화번호 279-2153
E-mail jangsik@postech.ac.kr
Homepage http://neml.postech.ac.kr

학력

  • 1999.03 ~ 2002.02 서울대학교 (박사-전자재료)
  • 1997.03 ~ 1999.02 서울대학교 (석사-전자재료)
  • 1993.03 ~ 1997.02 서울대학교 (학사-금속공학)

주요경력

  • 2006.03 ~ 2013.01 : 국민대학교 신소재공학부
  • 2004.10 ~ 2006.02 : 삼성전자 반도체연구소
  • 2002.10 ~ 2004.09 : LOS ALAMOS NATIONAL LABORATORY
  • 2002.03 ~ 2002.09 : 서울대학교 신소재공동연구소

전문분야

학술지

국제전문학술지

  • Synergistic Improvement of Long-Term Plasticity in Photonic Synapses Using Ferroelectric Polarization in Hafnia-Based Oxide-Semiconductor Transistors, ADVANCED MATERIALS, , 32, - (2020)
  • Heterosynaptic Plasticity Emulated by Liquid Crystal-Carbon Nanotube Composites with Modulatory Interneurons, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, , 12, 27467-27475 (2020)
  • Metal-Halide Perovskite Design for Next-Generation Memories: First-Principles Screening and Experimental Verification, Advanced Science, , 7, - (2020)
  • Artificial synaptic transistors based on Schottky barrier height modulation using reduced graphene oxides, CARBON, , 165, 455-460 (2020)
  • Emerging memory devices for artificial synapses, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, , 8, 9163-9183 (2020)
  • Designing artificial sodium ion reservoirs to emulate biological synapses, NPG Asia Materials, , 12, - (2020)
  • Foldable and Biodegradable Energy-Storage Devices on Copy Papers, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, , 5, - (2019)
  • Recent Advances in Memory Devices with Hybrid Materials, Advanced Electronic Materials, , 5, - (2019)
  • 2D Perovskite-Based Self-Aligned Lateral Heterostructure Photodetectors Utilizing Vapor Deposition, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, , 7, - (2019)
  • Ferroelectric Analog Synaptic Transistors, NANO LETTERS, , 19, 2044-2050 (2019)
  • Liquid-based memory and artificial synapse, NANOSCALE, , 11, 9726-9732 (2019)
  • Impact of Grain Sizes on Programmable Memory Characteristics in Two-Dimensional Organic-Inorganic Hybrid Perovskite Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, , 11, 20225-20231 (2019)
  • Reversible uptake and release of sodium ions in layered SnS2-reduced graphene oxide composites for neuromorphic devices, NANOSCALE, , 11, 15382-15388 (2019)
  • Short-Term Plasticity and Long-Term Potentiation in Artificial Biosynapses with Diffusive Dynamics, ACS Nano, , 12, 1680-1687 (2018)
  • Control of Gold Nanoparticle-Protein Aggregates in Albumen Matrix for Configurable Switching Devices, Advanced Materials Interfaces, , 5, - (2018)
  • Solution-Processed Flexible Threshold Switch Devices, Advanced Electronic Materials, , 4, - (2018)
  • Ultra-Low Power Consumption Flexible Biomemristors, ACS Applied Materials & Interfaces, , 10, 10280-10286 (2018)
  • Lead-Free, Air-Stable Hybrid Organic-Inorganic Perovskite Resistive Switching and Multilevel Data Storage, Nanoscale, , 10, 8578-8584 (2018)
  • Flexible Artificial Synaptic Devices Based on Collagen from Fish Protein with Spike-Timing-Dependent Plasticity, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, , 28, - (2018)
  • Reduced Graphene Oxide-Based Artificial Synapse Yarns for Wearable Textile Device Applications, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, , 28, - (2018)
  • Dry writing of highly conductive electrodes on papers by using silver nanoparticle–graphene hybrid pencils, Nanoscale, , 9, 555-561 (2017)
  • Flexible Multistate Data Storage Devices Fabricated Using Natural Lignin at Room Temperature, ACS Applied Materials & Interfaces, , 9, 6207-6212 (2017)
  • Reliable current changes with selectivity ratio above 10(9) observed in lightly doped zinc oxide films, NPG Asia Materials, , 9, - (2017)
  • Effect of halide-mixing on the switching behaviors of organic-inorganic hybrid perovskite memory, Scientific Reports, , 7, - (2017)
  • Reproducible and reliable resistive switching behaviors of AlOX/HfOX bilayer structures with Al electrode by atomic layer deposition, RSC Advances, , , 16704-16708 (2017)
  • Hybrid Organic-Inorganic Perovskite Memory with Long-Term Stability in Air, Scientific Reports, , 7, - (2017)
  • Zeolitic-imidazole framework thin film-based flexible resistive switching memory, RSC Advances, , 34, - (2017)
  • A Strategy to Design High-Density Nanoscale Devices utilizing Vapor Deposition of Metal Halide Perovskite Materials, ADVANCED MATERIALS, , 29, - (2017)
  • Artificial Synapses with Short- and Long-Term Memory for Spiking Neural Networks Based on Renewable Materials, ACS NANO, , 11, 8962-8969 (2017)
  • Resistive switching memory using biomaterials, Journal of Electroceramics, , 39, 223-238 (2017)
  • Self-assembled nanostructured resistive switching memory devices fabricated by templated bottom-up growth, SCIENTIFIC REPORTS, , 6, - (2016)
  • Reliable resistive switching memory based on oxygen-vacancy-controlled bilayer structures, RSC Advances, , 6, 21736-21741 (2016)
  • Control of resistive switching behaviors of solution-processed HfOX-based resistive switching memory devices by n-type doping, RSC Advances, , 6, 21917-21921 (2016)
  • Controlled synthesis of Ni/CuOx/Ni nanowires by electrochemical deposition with self-compliance bipolar resistive switching, SCIENTIFIC REPORTS, , 6, - (2016)
  • Flexible resistive switching memory with a Ni/CuOx/Ni structure using an. electrochemical deposition process, NANOTECHNOLOGY, , 27, 125203- (2016)
  • Controlling the Resistive Switching Behavior in Starch-Based Flexible Biomemristors, ACS Applied Materials & Interfaces, , 8, 7326-7332 (2016)
  • Patterning of amorphous-InGaZnO thin-film transistors by stamping of surface-modified polydimethylsiloxane, RSC Advances, , 6, 43147-43151 (2016)
  • Bottom-up synthesis of ordered metal/oxide/metal nanodots on substrates for nanoscale resistive switching memory, Scientific Reports, , 6, 25537- (2016)
  • Flexible Hybrid Organic–Inorganic Perovskite Memory, ACS NANO, , 10, 5413-5418 (2016)
  • Integration scheme of nanoscale resistive switching memory using bottom-up processes at room temperature for high-density memory applications, Scientific Reports, , 6, - (2016)
  • Design of Electrodeposited Bilayer Structures for Reliable Resistive Switching with Self-Compliance, ACS Applied Materials & Interfaces, , 8, 32918-32924 (2016)
  • Design of ans Efficient Charge-Trapping Layer with a Built-In Tunnel Barrier for Reliable Organic-Transistor Memory, ADVANCED MATERIALS, , 27, 706-711 (2015)
  • Resistive switching memory based on bioinspired natural solid polymer electrolytes, ACS NANO, , 9, 419-426 (2015)
  • Biocompatible and Flexible Chitosan-Based Resistive Switching Memory with Magnesium Electrodes, Advanced Functional Materials, , 25, 5586-5592 (2015)
  • Design of an Efficient Charge-Trapping Layer with a Built-In Tunnel Barrier for Reliable Organic-Transistor Memory, ADVANCED MATERIALS, , 27, 706-711 (2015)
  • All-solution-processed nonvolatile flexible nano-floating gate memory devices, Nanotechnology, , 25, - (2014)
  • Triangular-Pulse Measurement for Hysteresis of High-Performance and Flexible Graphene Field-Effect Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, , 35, 277-279 (2014)
  • Effects of Hf Incorporation on Negative Bias-Illumination Stress Stability in Hf-In-Zn-O Thin-Film Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, , 52, - (2013)
  • Direct patterning of metal oxides by hard templates and atomic layer deposition, International Journal of Nanotechnology, , 10, 692-701 (2013)
  • Nonvolatile memory devices based on self-assembled nanocrystals, Physica E-Low Dimensional systems & Nanostructures, , 51, 94-103 (2013)
  • Reduced graphene oxide based flexible organic charge trap memory devices, APPLIED PHYSICS LETTERS, , 101, - (2012)
  • Memory Effect of Low-Temperature Processed ZnO Thin-Film Transistors Having Metallic Nanoparticles as Charge Trapping Elements, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, , 12, 1344-1347 (2012)
  • Highly scalable resistive switching memory cells using pore-size-controlled nanoporous alumina templates, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, , 22, 1852-1861 (2012)
  • Size Effects on the Stabilization and Growth of Tetragonal ZrO2 Crystallites in a Nanotubular Structure, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, , 12, 3177-3180 (2012)
  • High Performance Flexible Organic Thin Film Transistors (OTFTs) with Octadecyltrichlorsilane/Al2O3/Poly(4-vinylphenol) Multilayer Insulators, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, , 12, 1348-1358 (2012)

국내전문학술지

일반학술지

  • Solution-Processed Multiterminal Artificial Synapses Based on Ion-Doped Solid Electrolytes, Acs Applied Electronic Materials, , 2, 339-345 (2020)

학술회의논문

학회발표

  • Liquid crystal-based composite materials for neuromorphic applications, 2019 MRS Fall Meeting&Exhibit, 0, 0, - (2019)
  • Artificial Synapses and Resistive Switching Memory Based on Biomaterials, 2019 MRS Fall Meeting&Exhibit, 0, 0, - (2019)
  • Analog Synaptic Transistors Based on Ferrolelectric Hafnium Oxide, 2019 MRS Fall Meeting&Exhibit, 0, 0, - (2019)
  • Liquid-Based Resistive-Switching Memory with Synaptic Functions Using Ion Dynamics in Liquid, 2019 MRS Fall Meeting&Exhibit, 0, 0, - (2019)
  • Artificial Synapse Yarns Based on Reduced Graphene Oxide for Wearable Electronics, 2019 MRS Fall Meeting&Exhibit, 0, 0, - (2019)
  • Biocompatible Materials for Memory and Neuromorphic, 2019 MRS Fall Meeting&Exhibit, 0, 0, - (2019)
  • Electrochemical artificial synapses based on SnS2-reduced graphene oxide, A3 Program Joint Seminar 2019, 0, 0, - (2019)
  • Resistive Switching Memory for Neuromorphic Devices, Joint Symposium on Materials Science and Engineering for the 21st Century, 0, 0, - (2019)
  • Methylammonium Bismuth lodide-Based Multilevel Data Storage Memory Devices with Long-Term Stability, IPEROP-19, 0, 0, - (2019)
  • Resistive Switching Memory for Neuromorphic Devices, A3 Joint Seminar 2019, 0, 0, - (2019)
  • Emerging memory devices and artificial synapses with hybrid materials, 2018 한국세라믹학회 추계학술대회 및 총회, 0, 0, - (2018)
  • Emerging memory devices with hybrid materials, SPIE Optics+Photonics 2018, 0, 0, - (2018)
  • Organic-inorganic hybrid memory devices for high-density memory applications, 2018 SPIE OPTICS+ PHOTONICS, 0, 0, - (2018)
  • Emerging Memory Devices Based on Self-Organized Nanostructures, US-KOREA Conference on Science, 0, 0, - (2018)
  • Filament based resistance switching memory extending to neuromorphic application, Filament based resistance switching memory extending to neuromorphic application, 0, 0, - (2018)
  • Emerging Memory Devices with Metal-Halide Perovskite Materials, IC ME&D 2018, 0, 0, - (2018)
  • Improvement of Resistive Switching Properties using Bilayer Structures by Atomic Layer Deposition, ., 0, 0, - (2017)
  • Resistive Switching Memory based on Biomaterials with Multi-Bit Data Storage, ., 0, 0, - (2017)
  • Biocompatible resistive switching memory with low-power consumption, ., 0, 0, - (2017)
  • Fabrication of Conductive Lines on Papers for Foldable Devices, ., 0, 0, - (2017)
  • Stability Improvement of Organolead Halide Perovskite Memory Enabled by Passivation, ., 0, 0, - (2017)
  • High-Performance Organometal Halide Perovskite Memory with Halide Compositions Control, ., 0, 0, - (2017)
  • Mixed halide perovskite resistive switching memory: controlling operating parameters through halide incorporation, ., 0, 0, - (2017)
  • Metal-Organic Framework-Based Flexible Resistive Switching Memory Devices, ., 0, 0, - (2017)
  • Reliable Resistive Switching Memory with Self-Compliance Based on Electrodeposited CuOx Multilayer, ., 0, 0, - (2017)
  • Flexible Threshold Switching Device Based on Electrochemical Deposition, ., 0, 0, - (2017)
  • Protein-based Resistive Switching Memory with Configurable Switching Properties, ., 0, 0, - (2017)
  • Configurable Resistive Switching Properties based on Albumen Proteins, ., 0, 0, - (2017)
  • Memory Devices based on Self-Assembled Materials and Processes, ., 0, 0, - (2017)
  • Fabrication of Resistive Switching Memory Devices Using Electrochemical Deposition for High-Density Memory Applications, ., 0, 0, - (2017)
  • Hybrid Organic-Inorganic Perovskite Thin Films for Flexible Resistive Switching Memory Applications, ., 0, 0, - (2016)
  • 전기화학증착 기반 다층구조 저항변화 메모리소자 제작, ., 0, 0, - (2016)
  • 전기화학증착법을 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제작, ., 0, 0, - (2016)
  • MOF 물질을 이용한 플렉서블 저항변화메모리 소자 제작 및 특성 평가, ., 0, 0, - (2016)
  • 플렉서블 저항변화메모리로 응용 가능한 유무기 하이브리드 페로브스카이트 박막, ., 0, 0, - (2016)
  • 단백질/금 나노입자 기반 저항변화 메모리 소자, ., 0, 0, - (2016)
  • Ni 전해도금을 이용한 고집적도 나노스케일 저항변화메모리 소자 제작, ., 0, 0, - (2016)
  • Memory Devices based on Self-Assembled Materials and Processes, ., 0, 0, - (2016)
  • Bottom-up fabrication of nanoscale resistive switching memory devices, ., 0, 0, - (2016)
  • Fabrication of nanoscale resistive switching memory for high-density memory applications based on bottom-up processes, ., 0, 0, - (2016)
  • Memory Devices based on Self-Assembled Materials and Processes, ., 0, 0, - (2016)
  • Chitosan-Based Resistive Switching Random Access Memory(ReRAM), ., 0, 0, - (2015)
  • Patterning of Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors (TFTs) via Surface Modified Polydimethylsiloxane (PDMS) Stamping, ., 0, 0, - (2015)
  • Synthesis of Ni/CuOx/Ni Nanowires using Anodic Alumina Oxide Template for Resistive Switching Memory Application, ., 0, 0, - (2015)
  • An Electrochemical Metallisation Memory based on Natural Solid-polymer Electolyte, ., 0, 0, - (2015)
  • Memory Devices based on Self-Assembled Materials and Processes, ., 0, 0, - (2015)
  • Nanoscale Resistive Switching Memory Devices Fabricated by All-Solution Processes, ., 0, 0, - (2015)
  • 자기조립된 나노 템플릿 기반 나노스케일 저항변화메모리 소자, ., 0, 0, - (2014)
  • Solid-based polymer electrolyte resistance RAM, ., 0, 0, - (2014)
  • Characterization of Nanoscale Copper-Oxide Resistive Switching Memory Devices using Self-Assembled Nano-Templates, ., 0, 0, - (2014)
  • Organic Nonvolatile Memory Devices Based on Self-Assembled Nanomaterials, ., 0, 0, - (2014)
  • Resistive Switching Memory Properties of Copper Oxide Grown by Electro-deposition with Nanoporous Alymina Templates, ., 0, 0, - (2013)
  • Nanoscale NiO-Based Resistive Switching Memory Devices, ., 0, 0, - (2013)
  • Nanoscale의 NiO 저항변화 메모리의 제작과 그 전기적 특성평가, ., 0, 0, - (2013)
  • 블록공중합체 나노템플릿을 이용한 저항변화 메모리 소자 제작, ., 0, 0, - (2013)

단행본

연구실적

  • 3D 적층된 정보저장층을 가지는 1T 구조의 비휘발성 메모리 소자, 재단법인한국연구재단 (2012-2013)
  • 테라비트급 유연성 정보저장소자 개발, 재단법인한국연구재단 (2012-2013)
  • 신규부임교수 기자재지원비, 포항공과대학교 (2013-2014)
  • 차세대 플렉서블 전자 소재 개발(학과부담), 포항공과대학교 (2013-2014)
  • 학생인건비통합관리과제, 포항공대산학협력단 (2013-2040)
  • 테라비트급 유연성 정보저장소자 개발, 재단법인한국연구재단 (2013-2014)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술, 한국산업기술평가관리원 (2013-2014)
  • 인건비풀링과제, 포항공과대학교 (2013-2015)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술, (사)한국반도체연구조합 (2013-2014)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술(저항변화메모리), (사)한국반도체연구조합 (2013-2014)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술(선택소자), (사)한국반도체연구조합 (2013-2014)
  • 차세대 플렉서블 전자 소재 개발(학과부담), 포항공과대학교 (2014-2015)
  • 테라비트급 유연성 정보저장소자 개발, 재단법인한국연구재단 (2014-2015)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술, 한국산업기술평가관리원 (2014-2015)
  • 4.9746_2단계 1차년도 이월과제, 재단법인한국연구재단 (2014-2015)
  • [민간]차세대 메모리용 RRAM 기술(저항변화메모리), (사)한국반도체연구조합 (2014-2015)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술(선택소자), (사)한국반도체연구조합 (2014-2015)
  • 이장식_신규부임교수 연구비(학과), 포항공과대학교 (2015-2016)
  • S_간접비_이장식, 포항공과대학교 (2015-2023)
  • S_직접비_이장식, 포항공과대학교 (2015-2023)
  • , 한국산업기술평가관리원 (2015-2016)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술, 한국산업기술평가관리원 (2015-2016)
  • [G/S]차세대 전자소자 전극용 하이브리드 신소재 연구, (주)포스코 (2015-2016)
  • [민간]차세대 메모리용 RRAM 기술(저항변화메모리), (사)한국반도체연구조합 (2015-2016)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술(선택소자), (사)한국반도체연구조합 (2015-2016)
  • 연구개발과제[2015년 신설], 포항공과대학교 (2015-2039)
  • ALL BOTTOM-UP PROCESS를 이용한 집적공정가능 3D 메모리소자 구현, 재단법인한국연구재단 (2015-2016)
  • [민간]차세대 메모리용 RRAM 기술(저항변화메모리), (사)한국반도체연구조합 (2016-2017)
  • [민간]차세대 메모리용 RRAM 기술(선택소자), (사)한국반도체연구조합 (2016-2017)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술, 한국산업기술평가관리원 (2016-2017)
  • ALL BOTTOM-UP PROCESS를 이용한 집적공정가능 3D 메모리소자 구현, 재단법인한국연구재단 (2016-2017)
  • 4.0012977_이월과제, 재단법인한국연구재단 (2016-2017)
  • [민간]차세대 메모리용 RRAM기술(저항변화메모리), (사)한국반도체연구조합 (2017-2018)
  • [민간]차세대 메모리용 RRAM기술(선택소자), (사)한국반도체연구조합 (2017-2018)
  • 차세대 메모리용 RRAM 기술, 한국산업기술평가원 (2017-2018)
  • 2D 하이브리드 소재 기반 종이전자소자, 재단법인한국연구재단 (2018-2019)
  • [GS]유무기하이브리드 페로브스카이트 기반 광충전식 배터리 소재 연구, (주)포스코 (2018-2019)
  • 2D 하이브리드 소재 기반 종이전자소자, 재단법인한국연구재단 (2019-2020)
  • 고속대량 스크리닝 기법을 통해 선별된 소재를 이용한 멤리스터 제작 및 구동 메커니즘 분석, 재단법인한국연구재단 (2019-2019)
  • 4.16601 이월과제, 재단법인한국연구재단 (2019-2020)
  • 3D CROSSPOINT 메모리를 위한 1010 이상의 선택비를 보이는 ULTRASTEEP SLOPE ATOMIC SWITCH 기반 선택소자 개발, 한국산업기술평가관리원 (2019-2019)
  • 3D CROSS-POINT 메모리를 위한 1010 이상의 선택비를 보이는 ULTRA-STEEP SLOPE ATOMIC SWITCH 기반 선택소자 개발, (사)한국반도체연구조합 (2019-2019)
  • 차세대 3D FENAND 구현을 위한 ALD 공정 기반 강유전체 트랜지스터 개발, 삼성전자(주) (2019-2022)
  • 뇌신경계를 모사한 액상기반 뉴로모픽 소자 및 집적화 공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2019-2020)
  • 3D CROSSPOINT 메모리를 위한 1010 이상의 선택비를 보이는 ULTRASTEEP SLOPE ATOMIC SWITCH 기반 선택소자 개발, 한국산업기술평가관리원 (2020-2020)
  • 고속대량 스크리닝 기법을 통해 선별된 소재를 이용한 멤리스터 제작 및 구동 메커니즘 분석, 재단법인한국연구재단 (2020-2020)
  • 뇌신경계를 모사한 액상기반 뉴로모픽 소자 및 집적화 공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2020-2021)
  • 2D 하이브리드 소재 기반 종이전자소자, 재단법인한국연구재단 (2020-2020)
  • 3D CROSS-POINT 메모리를 위한 1010 이상의 선택비를 보이는 ULTRA-STEEP SLOPE ATOMIC SWITCH 기반 선택소자 개발, (사)한국반도체연구조합 (2020-2020)
  • 4.18095 이월과제, 재단법인한국연구재단 (2020-2020)
  • 4.17507/18421 이월과제, 재단법인한국연구재단 (2020-2020)
  • 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자를 위한 양이온 소재 개발, 한국전자통신연구원 (2020-2020)
  • 4.18848 이월과제, 재단법인한국연구재단 (2020-2021)
  • 고속대량 스크리닝 기법을 통해 선별된 소재를 이용한 멤리스터 제작 및 구동 메커니즘 분석, 재단법인한국연구재단 (2021-2021)
  • 뇌신경계를 모사한 액상기반 뉴로모픽 소자 및 집적화 공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2021-2022)
  • 차세대 3D FENAND 구현을 위한 ALD 공정 기반 강유전체 트랜지스터 개발, 삼성전자(주) (2021-2022)
  • 4.0019329/20078_이월과제, 재단법인한국연구재단 (2021-2021)
  • 3D CROSSPOINT 메모리를 위한 1010 이상의 선택비를 보이는 ULTRASTEEP SLOPE ATOMIC SWITCH 기반 선택소자 개발, 한국산업기술평가관리원 (2021-2021)
  • 4.0019554_이월과제, 재단법인한국연구재단 (2021-2022)
  • [민간]3D CROSS-POINT 메모리를 위한 1010 이상의 선택비를 보이는 ULTRA-STEEP SLOPE ATOMIC SWITCH 기반 선택소자 개발, (사)한국반도체연구조합 (2021-2021)
  • 고속대량 스크리닝 기법을 통해 선별된 소재를 이용한 멤리스터 제작 및 구동 메커니즘 분석, 재단법인한국연구재단 (2022-2022)
  • 4.0019329/20078/21255_이월과제, 재단법인한국연구재단 (2022-2022)
  • 뇌신경계를 모사한 액상기반 뉴로모픽 소자 및 집적화 공정 개발, 재단법인한국연구재단 (2022-2023)
  • 4.0021255/4.0022057_이월과제, 재단법인한국연구재단 (2022-2022)
  • 4.0021292_이월과제, 재단법인한국연구재단 (2022-2023)

IP

  • 이장식,박영준,김광현, 다중층 선택 소자 및 그 제조 방법, USA, 17/623,241 (2021)
  • 이장식,박영준,김광현, 다중층 선택 소자 및 그 제조 방법, -, PCT/KR2021/0161 (2021)
  • 이장식,김익재,김민규, 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법, USA, 17/530,014 (2021)
  • 이장식,박영준, 할라이드 페로브스카이트를 포함하는 저항 스위칭 메모리 소자 및 그 제조 방법, 한국, 10-2021-0017595 (2021)
  • 이장식,김광현,박영준, 다중층 선택 소자 및 그 제조 방법, 한국, 10-2020-0151132 (2020)
  • 이장식,김민규,김익재, 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법, 한국, 10-2020-0168022 (2020)
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